深圳市興中芯科技有限公司

Infineon絕緣體上硅 (SOI) 柵極驅動器IC是用于IGBT和MOSFET的電平轉換高壓柵極驅動器IC。
SOI技術是一種高電壓、電平移位技術，具有獨特、可衡量以及業內的優勢。
其中包括集成式自舉二極管 (BSD) 和業界的穩健性，可防止負瞬態電壓尖峰。
每個晶體管都由嵌入的二氧化硅隔離，消除了導致閉鎖的寄生雙極晶體管。
該技術還可以降低電平轉換功率損耗，從而限度地降低器件開關功耗。
先進的工藝支持采用具有技術增強優勢的單片高壓和低壓電路結構。

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