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Evan 
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ADuM4221和ADuM4221-1均內置重疊保護，支持死區時間調整。死區時間引腳 (DT) 和GND1引腳之間的單個電阻器設置高側和低側輸出之間的二次側死區時間。
如果ADuM4221/-1/-2上的內部溫度超過內部熱關斷 (TSD)溫度，則TSD設置為低輸出。因此，這些器件可在較寬的正或負開關電壓范圍內，可靠地控制絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 或金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 配置的開關特性。
| ADG1236YRUZ-REEL |
| ADG1211YRUZ-REEL |
| MAX4560CEE+T |
| MAX4559CSE+T |
| DG212CSE+T ADUM4221BRIZ-RL |
| DG201ACSE+T |
| DG202CSE+T |
| DG211DY+T |
| DG211CUE+T ADUM4221BRIZ-RL |
| DG212DY+T |
| DG211CSE+T |
| DG201ADY+T |
| DG212ETE+T |
| DG441CY+T ADUM4221BRIZ-RL |
| MAX364CSE+T |
| MAX365ESE+T |
| MAX365CSE+T |
| MAX361ESE+T |
| MAX361CSE+T ADUM4221BRIZ-RL |
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