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Evan 
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HMC8192LG的固有I/Q架構具有出色的鏡像抑制能力，而無需進行成本高昂的干擾邊帶濾波。該混頻器還提供出色的LO至RF和LO至IF隔離性能，并降低了LO泄漏的影響以確保信號完整性。
作為一款無源混頻器，無需任何直流電源。相比有源混頻器，HMC8192LG提供較低的噪聲系數，從而確保針對高性能和精密應用提供出色的動態范圍。
HMC8192LG采用砷化鎵 (GaAs)、金屬半導體場效應晶體管 (MESFET) 工藝制造，使用了Analog Devices, Inc.混頻器單元和90°混合器件等組件。HMC8192LG采用緊湊型、4.00mm × 4.00mm、25引腳焊盤柵格陣列腔 (LGA_CAV) 封裝，工作溫度范圍為-40°C至+85°C。
| MAX3488AEGSA+T |
| MAX13020ASA+ |
| ADM3315EACPZ-REEL7 |
| ADM3307EWARUZ-RL7 |
| MAX221EEAE+T |
| MAX221EEUE+T |
| MAX3319EAE+T |
| LTC2857CDD-1#PBF |
| LTC2857CDD-2#PBF |
| LTC2858CDD-2#PBF |
| LTC2858CDD-1#PBF |
| LTC2852IS#TRPBF |
| LTC2857IMS8-1#TRPBF |
| LTC2857IDD-2#TRPBF |
| LTC2857IDD-1#TRPBF |
| LTC2858IMS-2#TRPBF |
| LTC2858IDD-1#TRPBF |
| LTC2858IDD-2#TRPBF |
| LTC2857IMS8-2#TRPBF |
| MAX13053AEASA+T |
| MAX13088EESA+T |
| MAX13088EASA+T |
| MAX13087EESA+T |
| MAX561CAI+T |
| MAX13084EESA+T |
| MAX13089EESD+T |
| MAX3490AEGSA+T |
| LTC2803CGN-1#TRPBF |
| LTC2803CDHC#TRPBF |
| LTC2850HDD#TRPBF |
| LTC2850HMS8#TRPBF |
| LTC2850HS8#TRPBF |
| LTC2856HDD-1#TRPBF |
| LTC2856HDD-2#TRPBF |
| LTC2856HMS8-1#TRPBF |
| LTC2856HMS8-2#TRPBF |
| ADM3311EARUZ-REEL |
| ADM3075EYRZ-REEL7 |
| ADM3072EYRZ-REEL7 |
| AD8392AACPZ-RL |
詢價
