ADF41513的設計基于高性能硅鍺 (SiGe) 雙極互補金屬氧化物半導體 (BiCMOS) 工藝,可實現?234dBc/Hz的歸一化相位本底噪聲。相位頻率檢波器 (PFD) 的工作頻率高達250MHz(整數N模式)/125MHz(小數N模式),可實現更高的相位噪聲和雜散性能。使用49位分值時,可變模數∑-Δ調制器可以實現極精細的分辨率。ADF41513可用作整數N PLL或小數N PLL,可使用固定模數以實現亞赫茲頻率分辨率或使用可變模數以實現亞赫茲jing確頻率分辨率。
ADF41513 PLL合成器采用緊湊的24引腳、4mm × 4mm引線框架芯片級封裝 (LFCSP),非常適合用于空間受限的應用。