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Evan 
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Texas Instruments INA823轉為提供高共模抑制比進行了優化。當G = 1時，整個輸入共模范圍內的共模抑制比超過84dB。INA823具有低至150mV（低于負電源）的寬共模電壓范圍。該器件設計旨在可由2.7V單電源和高達±18V的雙電源供電的低電壓下運行。低功耗和單電源運行使其可用于手持式電池供電系統。
| TPS61041QDBVRQ1 |
| LM3409QMY/NOPB |
| LP5522TM/NOPB |
| TPS61161ADRVT |
| TPS61043DRBT INA823DGKR |
| TLC59281RGET |
| TLC5927IDWR INA823DGKR |
| TLC5927IPWPR |
| LM27951SD/NOPB |
| LM3402MRX/NOPB |
| TPS92512DGQT |
| TLC59208FIPWR |
| TLC5917QDRQ1 |
| TPS61160ADRVT |
| TPS92512HVDGQT |
| LM3404MRX/NOPB |
| TPS75105DSKT |
| LM3414SD/NOPB |
| LM3404HVMAX/NOPB |
| TLC59108FIPWR |
| TPS92691QPWPTQ1 |
| TLC59283DBQ INA823DGKR |
| TLC5973D INA823DGKR |
| TPS61165TDBVRQ1 |
| TLC5929RGET |
| TPS61150ADRCR |
| TPS92830QPWRQ1 |
詢價
