TMS570LS1227采用1.25MB集成閃存和192KB數據RAM,具有單位糾錯和雙位錯誤檢測功能。該器件的閃存是一款非易失性、可電擦除的可編程內存。它通過64位寬數據總線接口實現。對于所有讀取、編程和擦除操作,該閃存在3.3V電源輸入(與I/O電源相同的電平)下工作。在管道模式下,閃存的系統時鐘頻率高達180MHz。SRAM在所支持的整個頻率范圍內支持單字節、半字、單字和雙字模式下的單周期讀寫訪問。
TMS570LS1227具有用于實時控制應用的外設,包括2個下一代高端定時器 (N2 HET) 時序協處理器,I/O端子多達44個,7個增強型正交編碼器脈沖 (ePWM) 模塊,具有多達14個輸出、6個增強型捕獲 (eCAP) 模塊,2個增強型正交編碼器脈沖 (eQEP) 模塊,和2個12位模數轉換器 (ADC),支持多達24路輸入。
LP8864SQRHBRQ1 |
LP8556SQE-E00/NOPB |
LP8556SQE-E08/NOPB |
LP8556SQE-E09/NOPB |
LM3501TL-16/NOPB |
TMS5701227CPGEQQ1 LP55281RL/NOPB |
LM3431MHX/NOPB |
LM3431AMHX/NOPB |
TLC5940RHBRG4 |
TMS5701227CPGEQQ1 TLC5941RHBTG4 |
LM3492QMHX/NOPB |
TLC5949PWP TMS5701227CPGEQQ1 |
TLC5944PWP |